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SSI4N60BTU

描述MOSFET NCh/600V/4a/2.5Ohm漏极连续电流4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)2.5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体I2PAK封装Tube
下降时间55 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)4.7 S
最小工作温度- 55 C功率耗散3.13 W
上升时间55 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间70 ns

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