| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 390 毫欧 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.8V @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 86pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 500mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | UFM（2.0x2.1） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
