| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 149 毫欧 @ 600mA, 4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.7nC @ 4V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 331pF @ 10V | 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | UFM |
| 供应商设备封装 | UFM (2.0x2.1) | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SSM3J114TU(T5LT)TR SSM3J114TU(T5LT)TR-ND SSM3J114TU(TE85L)TR |
