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  • STB11NM80T4

STB11NM80T4

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$6.77
  • 10$6.09
  • 25$5.5388
  • 100$5.0138
  • 250$4.59376
描述MOSFET N-CH 800V 11A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs43.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1630pF @ 25V功率 - 最大150W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK包装Digi-Reel?
其它名称497-4319-6

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