您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > stb15nm60nd
  • STB15NM60ND

STB15NM60ND

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$5.6
  • 10$5.013
  • 25$4.5076
  • 100$4.0997
  • 250$3.71112
描述MOSFET N-CH 600V 14A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 50V功率 - 最大125W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK包装Digi-Reel?
其它名称497-8470-6

stb15nm60nd的相关型号: