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  • STB16NK65Z-S

STB16NK65Z-S

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 6.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100?A
闸电荷(Qg) @ Vgs89nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2750pF @ 25V
功率 - 最大190W安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA供应商设备封装I2PAK
包装管件其它名称497-4098-5

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