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  • STB180N55F3

STB180N55F3

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$6.81
  • 10$6.097
  • 25$5.482
  • 100$4.9859
  • 250$4.51332
描述MOSFET N-CH 55V 120A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds6800pF @ 25V功率 - 最大330W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK包装Digi-Reel?
其它名称497-7939-6

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