您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > stb19nm65n
  • STB19NM65N

STB19NM65N

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$5.07
  • 10$4.541
  • 25$4.0832
  • 100$3.7136
  • 250$3.3616
描述MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 7.75A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 50V
功率 - 最大150W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装Digi-Reel?其它名称497-7001-6

stb19nm65n的相关型号: