您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > stb200n4f3
  • STB200N4F3

STB200N4F3

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$2.499
描述MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 25V功率 - 最大300W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR)

stb200n4f3的相关型号: