您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > stb25nm60n
  • STB25NM60N

STB25NM60N

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 21A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 10.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs84nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 50V
功率 - 最大160W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称497-5003-2

stb25nm60n的相关型号: