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  • STB38N65M5

STB38N65M5

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$11.38
  • 10$10.231
  • 25$9.3052
  • 100$8.4231
  • 250$7.71752
描述MOSFET N-CH 650V 30A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C95 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3000pF @ 100V
功率 - 最大190W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D?PAK
包装Digi-Reel?其它名称497-13086-6

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