您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > stb80ne03l-06t4
  • STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06T4

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 40A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds6500pF @ 25V
功率 - 最大150W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)

stb80ne03l-06t4的相关型号: