| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 450 毫欧 @ 5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 850pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 90W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 497-5733-6 |
意法半导体(st)近日推出了新系列功率mosfet的第一款产品std11nm60n。 该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。std11nm60n特别适合照明应用产品，例如，大功率因数电子镇流器和高强度放电灯(hid)电子镇流器。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品std11nm60n就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用st自主开发的第二代mdmesh技术，最大通态电阻rds(on)仅为450 mω，该器件的电阻值比上一代mdmesh技术降低了55%，而且这一特性并没有牺牲对其温度特性的精确控制为代价。 除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600v产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，该电路使mosfet能够在较低的vgs(th)(栅阈压)电压下驱动更高的电流。 事实上，虽然阈压范围(2v)没有变化，但是驱动该器件所需的vgs电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，保证了器件具有优良的防止电路意外导通的 ...
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意法半导体推出了新系列功率mosfet产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品std11nm60n就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用st自主开发的第二代 mdmeshtm 技术，最大通态电阻 rds (on) 450 mω，该器件的电阻值比上一代mdmesh技术降低了55%，而这一优异特性并不是以牺牲对其温度特性的精确控制为代价的。 除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600v产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，该电路使mosfet能够在较低的vgs(th)（栅阈压）电压下驱动更高的电流。 事实上，虽然阈压范围（2v）没有变化，但是驱动该器件所需的vgs电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，保证了器件具有优异的防止电路意外导通的噪声抑制性能。 std11nm60n的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用户能够把工作温 ...
世界领先的功率半导体产品制造商之一的意法半导体日前推出了新系列功率mosfet产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品std11nm60n就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用st自主开发的第二代 mdmeshtm 技术，最大通态电阻 rds (on) 450 mω，该器件的电阻值比上一代mdmesh技术降低了55%，而这一优异特性并不是以牺牲对其温度特性的精确控制为代价的。 除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600v产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，该电路使mosfet能够在较低的vgs(th)（栅阈压）电压下驱动更高的电流。 事实上，虽然阈压范围（2v）没有变化，但是驱动该器件所需的vgs电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，保证了器件具有优异的防止电路意外导通的噪声抑制性能。 std11nm60n的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩 ...
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世界领先的功率半导体产品制造商之一的意法半导体（纽约证券交易所代码：stm)近日推出了新系列功率mosfet产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品std11nm60n就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用st自主开发的第二代 mdmeshtm 技术，最大通态电阻 rds (on) 450 mω，该器件的电阻值比上一代mdmesh技术降低了55%，而这一优异特性并不是以牺牲对其温度特性的精确控制为代价的。 除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600v产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，该电路使mosfet能够在较低的vgs(th)（栅阈压）电压下驱动更高的电流。 事实上，虽然阈压范围（2v）没有变化，但是驱动该器件所需的vgs电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，保证了器件具有优异的防止电路意外导通的噪声抑制性能。 740)this.width=740" b ...
