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  • STD18NF03L

STD18NF03L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 17A DPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 8.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds320pF @ 25V功率 - 最大30W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak包装Digi-Reel?
其它名称497-7961-6

“STD18NF03L”电子资讯

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    vls驱动器被设置成通态时,一个1.6ω的下桥臂开关将ecv引脚上的电压拉到地线电压(快速放电)。该芯片还有对ec单元的‘过高’和‘过低’电压控制:这两个功能有助于检测ec单元的异常电压特性。电压控制环路和诊断功能的状态信息通过spi接口传送给微控制器。 与最初的ec控制拓扑相比,新拓扑只有一个元器件(车门区元器件的外面)消耗控制镜面所需的功率。因为始终工作在线性区,导通电阻不是一个重要的参数,所以这个元器件的成本不高。那个小mosfet必须选择封装能够处理目标功耗的产品。st推荐使用std18nf03l:一款bvdss 为30v的50mω mosfet。该产品采用人们耳闻能详的深受汽车环境欢迎的dpak封装。 ...

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