| 描述 | MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.28 欧姆 @ 2.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 50?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 706pF @ 50V | 功率 - 最大 | 90W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 497-8480-6 |
能效，功率mosfet被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。supermesh3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品，随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点，在620v电压下，dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds(on)降低到 1.28ω；在525v电压下，std7n52k3把导通电阻rds(on)降低到0.98ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(trr)、栅电荷量和本征电容，提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合，为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点：即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性，supermesh3器件全部经过了10 ...
能效，功率mosfet被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。supermesh3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品，随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点，在620v电压下，dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds(on)降低到 1.28ω；在525v电压下，std7n52k3把导通电阻rds(on)降低到0.98ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(trr)、栅电荷量和本征电容，提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合，为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点：即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性，supermesh3器件全部经过了10 ...
能效，功率mosfet被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。supermesh3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品，随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点，在620v电压下，dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds（on）降低到 1.28ω；在525v电压下，std7n52k3把导通电阻rds（on）降低到0.98ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间（trr）、栅电荷量和本征电容，提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合，为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点：即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性，supermesh3器件全部经过了 ...
