| 描述 | IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 40 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，20A |
| 功率 - 最大值 | 166 W | 开关能量 | 140μJ（开），560μJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 63 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 26ns/108ns | 测试条件 | 400V，20A，12 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 166 ns | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
【STMicroelectronics】STGB20NB32LZ,IGBT N-CH CLAMP 2V 20A I2PAK
【STMicroelectronics】STGB20NB32LZT4,IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
【STMicroelectronics】STGB20NB37LZ,IGBT N-CH CLAMPED 20A D2PAK
【STMicroelectronics】STGB20NB37LZT4,IGBT N-CH CLAMPED 20A D2PAK
【STMicroelectronics】STGB20NB41LZT4,IGBT N-CHAN 40A CLAMP D2PAK