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STI11NM65N

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：650 V
闸/源击穿电压：+/- 25 V

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产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet	漏极连续电流	12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.38 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-262	封装	Tube
下降时间	20 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	125 W	上升时间	13 ns
典型关闭延迟时间	55 ns

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