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  • STI12N65M5

STI12N65M5

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$3.01
  • 10$2.716
  • 25$2.4252
  • 100$2.1825
  • 250$1.94
描述MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C430 毫欧 @ 4.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 100V功率 - 最大70W
安装类型通孔封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA
供应商设备封装I2PAK包装管件
其它名称497-11326-5

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