| 描述 | MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2500pF @ 50V | 功率 - 最大 | 160W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK | 包装 | 管件 |
