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  • STN3P6F6

STN3P6F6

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  • 价格:1 : ¥7.63000剪切带(CT)4,000 : ¥3.23128卷带(TR)
  • 系列:DeepGATE?, STripFET? VI
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET P-CH 60V SOT223FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Tj)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 1.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.4 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)340 pF @ 48 VFET 功能-
功率耗散(最大值)2.6W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-223
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

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