| 描述 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-220 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 140 毫欧 @ 11A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 84nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2565pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 160W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-4672-5 |
高工作频率下提高效率，而且温度较低，所以，允许使用尺寸更小的磁器件和散热器，从而达到大幅降低设备尺寸的目的。 第二代mdmesh技术的另一个优点是，驱动器件的电压vgs变得更低，而电流处理能力变得更高。vgs电压范围被修改，驱动功能得到优化，噪声抑制能力增强，阈压范围保持不变。而且，新一代mdmesh技术支持更严格的rds (on)通态电阻要求。 首批上市的新产品系列包括分别采用to-247、to-220、to-220fp和d2pak/i2pak封装的500v、140mω的stw25nm50n、stp25nm50n、stf25nm50n和stb25nm50nt4/-1；分别采用dpak、to-220、to-220fp和d2pak封装的500v、380mω的std12nm50nt4、stp12nm50n、stf12nm50n、stb12nm50nt4；分别采用to-247、to-220、to-220fp和d2pak/i2pak封装的600v、170mω的stw25nm60n、stp25nm60n、stf25nm60n、stb25nm60nt4/-1。这些元器件适用于90w到1000w的各种电源应用。 新产品 ...
