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STP4NM60

描述MOSFET N-Ch 600 Volt 3.0Amp漏极连续电流4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间10.5 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.7 S
最小工作温度- 65 C功率耗散69 W
上升时间4 ns工厂包装数量50

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