| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.01 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 90 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 50 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 300 W | 上升时间 | 145 ns |
| 工厂包装数量 | 50 | 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
、规格列在表2中。表2 st公司提供的专用于同步整流器超低导通电阻的mosfet新品规格p/n vdss/v rds(on)@5v/mω id(cont)/a stp100nf03l－03 30 4.5 100 stp80nf03l－04 30 5 80 stp90nf03l 30 12 90 stp85nf3ll 30 9 85 stp70nf3ll 30 12 70 stp100nf04l 40 5 100 stp80nf55l－06 55 8 80 stp60nf06l 60 16 60 stp80nf75l 75 13 80 stp40nf10l 100 36 40 该电路板，能在反激式变换器中，很容易地将二极管整流改变为mosfet同步整流。 2.11 主芯片stsr3印刷电路板的设计布局任何一种高频开关电源，都需要一个良好的pcb设计布局，以实现整机系统性能的最高指标，并解决干扰的辐射传导问题。电路板上元器件的排放位置、引脚走线和宽度等，都是主要的课题。本文将给出一些基本的规则，使pcb设计者能制作出良好的stsr3电路板布局。图21 在pcb上画线时，所有电流的走线都应尽量缩短和 ...
