| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A PWRSOIC-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.2 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 35nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-SOIC-EP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
