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  • STU11NM60ND

STU11NM60ND

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.60664
描述MOSFET N-CH 600V 10A IPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 50V功率 - 最大90W
安装类型通孔封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装I-Pak包装管件

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