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  • STV200N55F3

STV200N55F3

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$5.53
  • 10$4.954
  • 25$4.4544
  • 100$4.0512
  • 250$3.6672
描述MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds6800pF @ 25V功率 - 最大300W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商设备封装PowerSO-10包装Digi-Reel?
其它名称497-7028-6

“STV200N55F3”电子资讯

  • ST推出STV250N55F3新款250A表面贴装功率MOSFET

    ℃时,封装的额定功率为300w。 新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet,达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。 高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备,如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试,可确保晶片的可靠性和稳固性。 在同一个系列产品,st还有一款55v的产品stv200n55f3,此产品的额定连续汲极电流为200a,且其源极连线配置为4线。 stv250n55f3样品已供 应中,预计于2008年第3季开始量产。 ...

  • ST新推250A表面安装的功率MOSFET,具有最低导通电阻

    在25℃时,封装的额定功率为300w。 新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet,达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。 高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备,如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试,可确保芯片的可靠性和稳固性。 在同一个系列产品,st还有一款55v的产品stv200n55f3,此产品的额定连续汲极电流为200a,且其源极联机配置为4线。stv250n55f3样品已供应中,预计于2008年第3季开始量产。 ...

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