| 描述 | MOSFET N-CH 650V 69A TO-247 | 家庭 | FET - 单 |
|---|---|---|---|
| 系列 | MDmesh? | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 69A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 38 毫欧 @ 34.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9800pF @ 100V | 功率 - 最大 | 400W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-10589-5STW77N65M5-ND |
意法半导体推出一款全新功率 mosfet产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 stw77n65m5采用意法半导体的超高能效mdmesh v制造工艺和工业标准to-247 封装，是业内通态电阻最低的650v mosfet产品。 意法半导体功率mosfet产品部市场总监maurizio giudice表示：“mdmesh v 系列产品整合了意法半导体专属的第五代超结技术，和经过应用验证的 powermesh 水平布局设计，产品性能优于同类竞争产品。无论采用何种封装，业界最低的单位芯片面积rds(on)都能提供能效优势。设计人员使用很少数量的mdmesh v器件即可替代多路并联的普通mosfet网络，提高设计性能，降低总体尺寸。” 这款新器件是stw77n65m5，通态电阻rds(on)为38mω，采用to-247封装。意法半导体计划在2010年推出采用max247封装的22mωrds(on)的sty112n65m5。在今年初的mdmesh v超结mosfet技术发布会上，意法半导体公布开发蓝图时曾介绍过这两款产品。stw77n65m5的最大输出电流额定69a，现已全面投入量产。 ...
