| 描述 | MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 950V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.35 欧姆 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 100?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1031pF @ 100V | 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-8798-5 |
sfet降低30%，设计人员可 以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3™技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 ...
面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 ...
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阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员 可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子 ...
