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SUD50NP04-62-T4-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:40 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 16 V

参考价格

  • 数量单价
  • 850¥8.69
  • 1000¥6.90
  • 2000¥4.93
  • 5000¥4.75
  • 10000¥4.53
产品属性
描述MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V漏极连续电流8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.03 Ohms, 0.032 Ohms配置Dual Common Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DPAK封装Reel
下降时间56 ns, 50 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散6 W, 6.7 W上升时间75 ns, 106 ns
工厂包装数量2000典型关闭延迟时间40 ns, 51 ns

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