| 描述 | TRANS GP NPN 40V 1A TO-226 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1V @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装 | TO-226 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】TN2219A_D26Z,TRANS BIPO GPA NPN 40V TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN2219A_J05Z,TRANS BIPO GPA NPN 40V TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN2219A_J25Z,Transistors Bipolar (BJT) NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr
【Fairchild Semiconductor】TN2219A_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr
