| 描述 | Transistors Darlington NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si | 发射极 - 基极电压 VEBO | 12 V |
|---|---|---|---|
| 集电极—基极电压 VCBO | 60 V | 最大直流电集电极电流 | 1.2 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA | 功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-226 | 封装 | Bulk |
| 集电极连续电流 | 1.2 A | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 25000 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
【Fairchild Semiconductor】TN6726A,TRANS GP PNP 30V 1.5A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6726A_D26Z,TRANS GP PNP 30V 1.5A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6726A_D27Z,TRANS GP PNP 30V 1.5A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6726A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
【Fairchild Semiconductor】TN6727A,TRANS GP PNP 40V 1.5A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6727A_D74Z,TRANS GP PNP 40V 1.5A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6727A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
【Fairchild Semiconductor】TN6728A,TRANS GP PNP 60V 1.2A TO-226