| 描述 | TRANS GP PNP 60V 1.2A TO-226 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1.2A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 10mA，250mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 250mA，1V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装 | TO-226 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】TN6728A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
【Fairchild Semiconductor】TN6729A_D26Z,TRANS GP PNP 80V 1.0A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6729A_D27Z,TRANS GP PNP 80V 1.0A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6729A_D75Z,TRANS GP PNP 80V 1.0A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6729A_J05Z,TRANS GP PNP 80V 1.0A TO-226
【Fairchild Semiconductor】TN6729A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
