| 描述 | -20V, -9A, COMPLEMENTARY P-CHANN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.6A（Tc），9A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 677pF @ 10V，744pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 6.25W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-TDFN（2x2） |
