| 描述 | TRANSISTOR NPN DUAL TD | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 3V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | 12GHz，20GHz | 噪声系数（dB典型值@频率） | 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz |
| 增益 | - | 功率 - 最大 | 195mW |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 70 @ 10mA，1V / 50 @ 5mA，1V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 30mA，35mA |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | M16，1208 | 包装 | 带卷 (TR) |
