| 描述 | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V，20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A，1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V，390 毫欧 @ 1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA，2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 2.2nC @ 4.5V，2.1nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 80pF @ 10V，150pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | TUMT6 |
