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VN10KC-T1

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+ 15 V, - 0.3 V
  • 漏极连续电流:0.31 A
产品属性
描述MOSFET 60V 0.31A 0.6W电阻汲极/源极 RDS(导通)7.5 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SC-59
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散0.6 W工厂包装数量3000

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