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VQ1001J

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V
  • 漏极连续电流:0.83 A
产品属性
描述MOSFET QD 30V 0.83A电阻汲极/源极 RDS(导通)1 Ohms
配置Quad最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体PDIP-14
最小工作温度- 55 C功率耗散2 W
工厂包装数量25

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