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ZXM62N02E6TC

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：3.2 A

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产品属性

描述	MOSFET 20V N Chnl HDMOS	电阻汲极/源极 RDS（导通）	100 mOhms at 4.5 V
配置	Single	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-6	封装	Reel
下降时间	10.4 ns	功率耗散	1700 mW
上升时间	10.4 ns	典型关闭延迟时间	16.9 ns

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