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  • ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET P-CHAN 20V 8SOICFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 3.2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs43.3nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2068pF @ 15V
功率 - 最大1.56W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

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