描述 | MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫欧 @ 4.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 25.7nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 930pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.25W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 剪切带 (CT) | 其它名称 | ZXMD65P03N8CT |