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  • ZXMD65P03N8TA

ZXMD65P03N8TA

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
产品属性
描述MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOICFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 4.9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs25.7nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
功率 - 最大1.25W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装剪切带 (CT)其它名称ZXMD65P03N8CT

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