| 描述 | TRANSISTOR GPA NPN 30V TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1V @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 50mA，5V |
| 功率 - 最大 | 625mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 带盒（TB） |
【Fairchild Semiconductor】2N3704_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
【Central Semiconductor】2N3705,Transistors Bipolar (BJT) NPN 30V 800mA BULK HFE/150
【Central Semiconductor】2N3706,Transistors Bipolar (BJT) NPN 20V 800mA BULK HFE/800
【Central Semiconductor】2N3706 LEADFREE,双极小信号 NPN 20V 800mA BULK HFE/800
【Central Semiconductor】2N3707,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS
【Central Semiconductor】2N3708,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS