| 描述 | TRANSISTR PNP DUAL HERMETIC SMD | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 600mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.6V @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大 | 600mW | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-CLCC |
| 供应商设备封装 | 6-CLCC | 包装 | 散装 |
【Central Semiconductor】2N5817,Transistors Bipolar (BJT) Small Signal Transistor
【Central Semiconductor】2N5818,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS
【Central Semiconductor】2N5819,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power
【Central Semiconductor】2N5823,Transistors Bipolar (BJT) Small Signal Transistor