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  • 2N7000RLRM

2N7000RLRM

描述MOSFET 60V 200mA N-Channel漏极连续电流200 mA
电阻汲极/源极 RDS(导通)5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Ammo
正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.0001 S最小工作温度- 55 C
功率耗散0.35 W工厂包装数量2000
典型关闭延迟时间10 ns

“2N7000RLRM”技术资料

  • 2N7000RLRM的技术参数

    产品型号:2n7000rlrm源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5000最大漏极电流id(on)(a):0.200通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-92/-55~150描述:小信号n沟道to92封装场效应管价格/1片(套):¥.90 来源:xiangxueqin ...

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