| 描述 | P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50mA | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 欧姆 @ 100μA，20V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 10μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | -6.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3.5 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 350mW | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-143-4 |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
