| 描述 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 10.6V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.9mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 500 欧姆 @ 5.9V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.35V @ 1?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 500mW | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 供应商设备封装 | 8-PDIP |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 1014-1051 |
【Advanced Linear Devices】ALD1121EPA,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1121EPAL,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1121ESA,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1121ESAL,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123EPC,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123EPCL,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
