| 描述 | ASYMMETRIC N | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.8A（Ta），18A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 20nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W（Ta），23W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP（3x3） |
