| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP BIPOLAR | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 420 at 2 mA at 5 V | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 200 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 300 mW | 工厂包装数量 | 3000 |
【ON Semiconductor】BC858CDW1T1,TRANS PNP DUAL 30V 100MA SOT-363
【ON Semiconductor】BC858CDW1T1G,TRANS PNP DUAL 30V 100MA SOT-363
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T1,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V Dual PNP
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T1G,TRANS PNP DUAL 30V 100MA SOT-563
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T5,TRANS PNP DUAL 100MA30V SOT563
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T5G,TRANS PNP DUAL 100MA30V SOT563