描述 | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-RFPR | 增益 | 16.5 dB |
---|---|---|---|
输出功率 | 30 W | 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
漏极连续电流 | 13 A | 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
最大工作温度 | + 150 C | 封装 / 箱体 | SOT-119A |
封装 | Bulk | 最小工作温度 | - 65 C |
安装风格 | SMD/SMT | 功率耗散 | 130 W |
产品类型 | MOSFET Power | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.3 Ohms |
工厂包装数量 | 20 | 零件号别名 | BLF346,112 |
【NXP Semiconductors】BLF369,112,射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS 65V 100A
【NXP Semiconductors】BLF3G21-30,112,BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C
【NXP Semiconductors】BLF3G21-6,112,BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A
【NXP Semiconductors】BLF3G21-6,135,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT538A
【NXP Semiconductors】BLF3G22-30,112,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608