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  • BSC014NE2LSIXT

BSC014NE2LSIXT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:100 A

参考价格

  • 数量单价
  • 3710¥5.93
  • 5000¥5.71
  • 10000¥5.49
产品属性
描述MOSFET OptiMOS Power MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)1.4 mOhms at 4.5 V
配置Single Quad Drain Triple Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PG-TDSON-8
封装Reel下降时间3.6 ns
栅极电荷 Qg39 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散74 W上升时间5 ns
典型关闭延迟时间25 ns零件号别名BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1

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