描述 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 1.4 mOhms at 4.5 V |
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配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
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安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | PG-TDSON-8 |
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封装 | Reel | 下降时间 | 3.6 ns |
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栅极电荷 Qg | 39 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
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功率耗散 | 74 W | 上升时间 | 5 ns |
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典型关闭延迟时间 | 25 ns | 零件号别名 | BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 |