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BSM200GA170DN2S

  • 制造商:-
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Single Dual Emitter
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
  • 在25 C的连续集电极电流:290 A

参考价格

  • 数量单价
  • 6¥1,166.24
  • 10¥1,049.56
产品属性
描述IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体62MM栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C安装风格Screw
工厂包装数量10

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